Навигация
Главная
Новости
Ресурсы
 Книги
 Справочники
 Статьи
Файловый архив
 Журналы
 Книги
 Справочники
 Просто софт
 Софт по электронике
Обратная связь
Карта сайта

СКБ КриптоНет


Книги

Уважаемый читатель!
Публикация данного документа не преследует за собой никакой коммерческой выгоды. Но такие документы способствуют профессиональному и духовному росту читателей и являются рекламой бумажных изданий таких документов. Все авторские права сохраняются за правообладателем.
За содержание книги ответственность несут ее авторы.

срабатывания системы защиты от параметров транзистора и диодов, (ее можно значительно ослабить, если обеспечить тепловой контакт между корпусами этих элементов). Значительно меньше этот
недостаток проявляется в другом стабилизаторе. Если исходить из того, что напряжение                      на
эмиттерном          переходе
транзистора VT1 и прямое напряжение диода VD1 примерно одинаковы, то распределение тока между микросхемой DA1 и регулирующим транзистором зависит от отношения            значений
сопротивления резисторов R2 и R1. При малом
выходном токе падение напряжения на резисторе R2 и диоде VD1 мало, поэтому транзистор VT1 закрыт и работает только микросхема. По мере увеличения выходного тока это падение напряжения возрастает, и когда оно достигает 0,6...0,7В, транзистор начинает открываться, и все большая часть тока начинает течь через него. При этом микросхема поддерживает выходное напряжение на уровне, определяемом ее типом: при увеличении напряжения ее регулирующий элемент закрывается, снижая тем самым протекающий через нее ток, и падение напряжения на цепи R2VD2 уменьшается. В результате падение напряжения на регулирующем транзисторе VT1 возрастает и выходное напряжение понижается. Если же напряжение на выходе СН увеличивается, процесс регулирования протекает в противоположном направлении. Введение в эмиттерную цепь транзистора VT1 резистора R1, повышающего устойчивость работы СН (он предотвращает его самовозбуждение) требует увеличения входного напряжения. В то же время, чем больше сопротивление этого резистора, тем меньше ток срабатывания по перегрузке зависит от параметров транзистора VT1 и диода VD1. Однако с увеличением сопротивления резистора возрастает рассеиваемая на нем
88

Если Вы найдете какие либо опечатки, ошибки или подозрительные неточности то обязательно сообщите об этом администрацию сайта (Сделать это можно здесь)


[ Вернуться назад ]

ТОП 10
Файлы:

  1. Карманный справочник по электронике
  2. Цифровая схемотехника
  3. Азбука разработчика цифровых устройств
  4. sPlan или RusPlan v.6.0.0.1
  5. Основы теории цепей
  6. Основы языка VHDL
  7. Справочник по полупроводниковым приборам
  8. UNILOGIC - Логический анализатор для PC
  9. Справочник по расчету параметров катушек индуктивности
  10. Программирование однокристальных микропроцессоров



Новости:

  1. В 3D-принтере лазер заменили солнечным лучом
  2. Нановолокна упростят лечение рака
  3. Квантовый компьютер: IBM переходит к практике
  4. Конференции «Форум разработчиков цифровой электроники»
  5. Магнитогорские андроиды завоюют российский рынок
  6. Создана "глушилка" болтунов, теперь там где надо будет тихо
  7. Создан компактный ветрогенератор на пьезоэлементах
  8. Робот-гепард поставил рекорд скорости
  9. Механическая рука DARPA удивляет ловкостью
  10. Создан пульт дистанционного управления мозгом

Электроника это просто1
Copyright © electronic.com.ua 2007-2024