Корпорации Toshiba и SanDisk сообщают об открытии новой фабрики Fab 4 по производству 300-мм кремниевых пластин на предприятии Toshiba Yokkaichi Operations, в префектуре Мие (Mie), Япония.

Корпорация Toshiba начала строительство фабрики Fab 4 в августе 2006 года в ответ на быстрорастущий спрос на флэш-память NAND, которая используется во многих электронных устройствах, в том числе в цифровых медиа плеерах, мобильных телефонах, ПК и картах памяти.

Начало промышленного производства на фабрике Fab 4 ожидается в декабре 2007 года. Согласно прогнозам, мощность фабрики во второй половине 2008 календарного года составит 80 тыс. кремниевых пластин в месяц. В дальнейшем предусмотрено увеличение производственных мощностей: при определенных капиталовложениях объем производства может быть доведен до 210 тыс. пластин в месяц, что позволит удовлетворить прогнозируемый рост рыночного спроса. Изначально фабрика Fab 4 будет работать по 56-нанометровому техпроцессу, а в марте 2008 года планируется перехода на 43-нанометровый процесс.

Фабрика Fab 4 построена таким образом, чтобы минимизировать возможные последствия от стихийных бедствий. При конструировании здания использовались самые современные технологии, поглощающие на две трети энергию ударов подземных толчков при землетрясениях. Кроме того, фабрика оснащена несколькими независимыми энергогенераторами, которые включаются в работу при малейшем сбое энергоснабжения, например, в результате удара молнии.