В сотрудничестве с AMD, Sony и Toshiba, компания IBM нашла способ создания критичной части транзистора с использованием нового материала, благодаря чему открыла путь дальнейшего уменьшения размеров микросхем, повышения их быстродействия и эффективности.

Технология, которая по заявлению компании стала первым фундаментальным изменением конструкции транзистора за 40 лет, получила название "high-k metal gate". Суть ее заключается в замене материала в части транзистора, отвечающей за функцию включения/выключения, на новый, с улучшенными электрическими характеристиками.

Также немаловажно, что эта технология требует внесения минимальных изменений в современное оборудование и процессы производства микросхем. IBM внедрила ее на полупроводниковом заводе в г. Ист-Фишкилл (штат Нью-Йорк) и рассчитывает начать использовать для выпуска продуктов с уровнем детализации 45 нм в 2008 г.