Ученые из Национального института стандартов и технологий (NIST) разработали новый метод, позволяющий селективно выращивать нанопровода на сапфировой подложке, размещая и ориентируя их определенным образом с достаточно высокой точностью.

Исследователям из NIST удалось вырастить нанопровода из полупроводящего оксида цинка на сапфировой подложке в горизонтальном направлении. Для этого они использовали традиционные технологии, применяющиеся при изготовлении полупроводниковой электроники, с помощью которых небольшие количества золота наносились на подложку в определенных местах. Нанокапли золота, которые образовывались под воздействием высоких температур, служили центрами нуклеации для кристаллов оксида цинка.

Небольшое несоответствие в кристаллических структурах оксида цинка и сапфира приводило к тому, что полупроводник формировался в виде узких нанопроводов, расположенных в одном определенном направлении, сообщает EurekAlert.

C помощью новой технологии исследователи из NIST создали более 600 нанопроводниковых транзисторов. По мнению разработчиков, этот метод может использоваться для промышленного производства электронных приборов на основе нанопроводов.