Международная команда ученых разработала вариант памяти на квантовых точках, отличающийся высоким быстродействием.

По мнению разработчиков, в перспективе данный вид памяти будет лишен недостатков двух других, популярных сейчас видов памяти - медленного действия и малого количества циклов запись-стирание флэш-памяти, и постоянной зависимости от питания динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).

В настоящий момент время доступа к информации у разработанного прототипа составляет несколько наносекунд, что сравнимо с DRAM. "В отличие от DRAM и флэш, физический предел времени записи у памяти на квантовых точках составляет пикосекунду. Это означает, что более совершенный прототип нашего устройства должен быть более чем в 100 раз быстрее, чем сегодняшние DRAM", - говорит один из авторов работы Андреас Марент (Andreas Marent).

Ячейка памяти на квантовых точках состоит из молекул арсенида индия (InAs), нанесенных на слой арсенида галлия (GaAs). GaAs-слой р-допирован. Сверху этой структуры расположен еще один, n-допированный слой GaAs. В целом структура является p-n-диодом.

При подаче электрического напряжения молекулы арсенида индия заряжаются, что позволяет им сохранять биты информации. Значение бита - 0 или 1 - зависит от емкостного сопротивления диода.