Новости - IBM представляет новую технологию для eDRAM
Дата: 16:56:06 01.03.2007
Тема: Мир Электроники
Корпорация IBM представила новую технологию В«внутрикристалльной памятиВ» (on-chip memory) для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory) – встроенной динамической памяти с произвольным доступом.
Новая технология, разработанная с использованием методики IBM В«кремний на изолятореВ» (Silicon-on-Insulator, SOI) в целях обеспечения высоких уровней производительности при низком энергопотреблении, позволяет значительно увеличить быстродействие многоядерных микропроцессоров, а также ускорить обработку мультимедийных данных и передачу данных по сетям.
Планируется, что эта технология, коммерческое применение которой ожидается в начале 2008 года, станет ключевым элементом стратегии IBM по развитию поколения микропроцессоров, произведенных по 45-нм технологии.
Новая микросхема eDRAM, созданная IBM по 65-нанометровым нормам SOI с применением метода изоляции с глубокими канавками (deep trench), приблизительно на треть улучшает показатели производительности процессорной памяти и на одну пятую – потребляемой мощности в режиме ожидания – по сравнению со стандартной технологией статической памяти SRAM.
|
|